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[主观题]

下图所示为由CMOS施密特触发器组成的多谐振荡器。设VDD=10V,VT+=7V,VT-=3V,R1=3kΩ,R2=8.2kΩ,C=0.01μF,试求该

下图所示为由CMOS施密特触发器组成的多谐振荡器。设VDD=10V,VT+=7V,VT-=3V,R1=3kΩ,R2=8.2kΩ,C=0.01μF,试求该电路输出脉冲的频率和占空比。

下图所示为由CMOS施密特触发器组成的多谐振荡器。设VDD=10V,VT+=7V,VT-=3V,R1

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第1题
由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,VDD=5 V,VOH≈5 V,VOL1≈0

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,VDD=5 V,VOH≈5 V,VOL1≈0 V,VTH1=2.5 V。 (1)计算正向、负向阈值电压及回差电压。 (2)当阈值电压变为

时,若使回差电压不变,对电阻有何要求?此时正向、负向阈值电压为何值?

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第2题
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下图所示为由L,C组成的丌形低通滤波电路。已知C=20μF,L=16H,负载电阻R=1kΩ,输入电压u=150-100sin2ωt-10sin4ωtV,f=50Hz。求:

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第3题
一个CMOS存储单元如下图所示,试分析其工作原理。

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第4题
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由集成门构成的施密特触发器如下图(a)所示,输入波形如图(b)所示,设集成门阈值电平VT=1.4V,设二极管正向电阻为0,反向电阻为∞,二极管导通时的压降VD=0.8V。试求正向阈值电平和负向阈值电平,并对应输入波形Vi画出稳态输出端Q的电压Vo的波形。

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第5题
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施密特触发器电路如下图所示。图中VR是参考电压源,VZ是稳压二极管VDW1与VDW2的稳压值,即使运算放大器最高输出电压VoH和最低输出电压VoL绝对值都等于VZ。若VZ=4V,运算放大器的开环放大倍数AV=5000,上触发电平VPH=6.5V,下触发电平VPL=5.5V,试求:

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第6题
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电路如下图所示,已知CMOS门电路的输出电压VoH=4.7V,VoL=0.1V,试计算接口电路的输出电压Vo(三极管的集电极电位),并说明接口参数选择是否合理。

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第7题
图所示电路均由555时基电路组成,图中构成的是______电路。

A.多谐振荡器、单稳态触发器、施密特触发器

B.单稳态触发器、多谐振荡器、施密特触发器

C.施密特触发器、多谐振荡器、单稳态触发器

D.施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器

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第8题
图所示电路均由555时基电路组成,图中(a)、(b)、(c)分别构成的是______电路。

A.多谐振荡器、单稳态触发器、施密特触发器

B.单稳态触发器、多谐振荡器、施密特触发器

C.施密特触发器、多谐振荡器、单稳态触发器

D.施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器

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第9题
下图所示为由LC串联谐振回路与负阻器件构成的负阻振荡器原理电路,试分析该电路的工作原理,并指出:

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第10题
CMOS主从上升沿触发器组成的电路如图4.2.24(a)所示,输入波形如图4.2.24(b)所示,画出Q1~Q4的波形。

CMOS主从上升沿触发器组成的电路如图4.2.24(a)所示,输入波形如图4.2.24(b)所示,画出Q1~Q4的波形。

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第11题
TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CTll32组成的电路。

TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CTll32组成的电路。 (1)说明电路具有什么功能。 (2)定性画出VA,VO的波形。 (3)若R=10 kΩ,C=0.01μF,计算工作周期。

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