利用洛仑兹变换,试确定粒子在互相垂直的均匀电场Eex和磁场Bey(E>cB)内的运动规律,设粒子初速度为零。
利用洛仑兹变换,试确定粒子在互相垂直的均匀电场Eex和磁场Bey(E>cB)内的运动规律,设粒子初速度为零。
利用洛仑兹变换,试确定粒子在互相垂直的均匀电场Eex和磁场Bey(E>cB)内的运动规律,设粒子初速度为零。
在右手直角系σ1,中,设两直线li:Aix+Biy+Ci=0(i=1,2)互相垂直,取l1,l2为右手直角系σ2的O'y'轴,O'x'轴,试求σ2到σ1的点的坐标变换公式。
试证:成对合对应的二线束中,一般只有一对对应直线互相垂直,若有两对对应直线垂直,那么所有的对应直线都互相垂直,并且此时对合是椭圆型的.
作为一维铁磁体的简化模型,考虑自旋为的许多粒子排列在一直线上,每个粒子各处一定的位置,如图所示.假设每个粒子只与左右近邻发生自旋一自旋相互作用,体系的总能量算符为(取h=1)
,γ>0
试证明(a)总自旋
为守恒量;(b)在体系的基态下,相邻粒子之间必然构成自旋三重态(自旋指向互相“平行”).讨论基态能级的简并度.
质量为μ的粒子在势场V1(x)中运动时,束缚态能级为En(1);在势场V2(z)中运动时,束缚态能级为En(2),n-1,2,…为能级编号.设对于任何z值,均有
V1(x)≤V2(x)
试证明
En(1)≤En(2)
即V2场的各个能级均高于(或等于)V1场的相应能级.
核半径可按公式R=1.2×10-15m来确定,其中A为核的质量数。试求核物质的单位体积内的粒子数。
一个磁场B和一个电场E相互垂直(如图所示)。设一个电子在原点由静止开始运动,试确定该电子的运动轨迹。
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
(1)D运算表示将x(n)取z变换、取对数和逆z变换,得到包含x1(n)和x2(n)信息的相加形式;
(2)L为线性滤波器,容易将两个相加项分离,取出所需信号;
(3)D-1相当于D的逆运算,也即取z变换、指数以及逆z变换,至此,可从x(n)中按需要分离出x1(n)或x2(n),完成解卷积运算。
试写出以上各步运算的表达式。