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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

Ge的导带与价带之间的能隙Eg=0.72eV，若用Ge来探测γ射线，①吸收1个由137Cs发出的能量为662keV的光子，能把Ge的

Ge的导带与价带之间的能隙E_g=0.72eV，若用Ge来探测γ射线，①吸收1个由¹³⁷Cs发出的能量为662keV的光子，能把Ge的多少个价带电子激发到导带？②若上面算得的电子数为n，则其统计涨落为 $Ge的导带与价带之间的能隙Eg=0.72eV，若用Ge来探测γ射线，①吸收1个由137Cs发出的能量$ ，相对涨落为 $Ge的导带与价带之间的能隙Eg=0.72eV，若用Ge来探测γ射线，①吸收1个由137Cs发出的能量$ ，试问探测到的γ射线的能量涨落是多少？这个结果就是Ge探测器的实验分辨本领.

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更多“Ge的导带与价带之间的能隙Eg=0.72eV，若用Ge来探测…”相关的问题

第1题

在OK时，本征半导体的价带完全被电子占据，而导带则完全未被占据，此时的晶体为绝缘体．在较高温度下，价带中的

电子因热激发会跃迁到导带，在价带中留下空穴，晶体就形成半导体．设晶体价带与导带之间的禁带宽度为ε_g，试

证明：温度为T时，本征半导体中电子和空穴的浓度n_e和n_h为

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第2题

画出聚富烯的Hückel分子轨道结构图。图中带隙的大小？材料带隙（Eg)的实验值为0.9eV，合理解释这个现象。

画出聚富烯的Hückel分子轨道结构图。图中带隙的大小？材料带隙(E_g)的实验值为0.9eV，合理解释这个现象。

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第3题

N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ]．A．有特殊的价带，电子易于跃迁B．有特殊的

N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ]．

A．有特殊的价带，电子易于跃迁

B．有特殊的导带，电子易于跃迁

C．有施主能级，电子易于跃迁

D．有受主能级，电子易于跃迁

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第4题

下列关于消弧线圈说法不正确的是（)。

A.接在电网的末端

B.接在电网中性点与地之间

C.带有气隙

D.电感值可调

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第5题

异步电机在基频以下变频调速时，为保证定子气隙磁通不变，应采用的控制方式是（)

A 恒U1/ω1

B 恒Eg/ω1

C 恒Es/ω1

D 恒Er/ω1

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第6题

八面体场的分裂能△o通常指的是哪两个轨道的能级差？（) A．t2g和eg B．和eg C．和 D．t2g和

八面体场的分裂能△_o通常指的是哪两个轨道的能级差？( )

A．t_2g和e_gB．和e_g

C．和D．t_2g和

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第7题

如题11—13图所示，重物W放在台秤的秤台上的点F。已知AB=a，BC=b，CD=c，IK=d，秤台长EG=lo。试求当杆长b

、c、d与l之间有何种关系时，才能使标明重物w重的秤锤P与重物在秤台上的位置无关，并求在这种情况下秤锤的重量。

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第8题

对于普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为伏，而Ge极管的导通电压典型值约为()伏。

A.0.1V

B.0.7V

C.0.3V

D.2.0V

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第9题

空载特性能否准确反映负载时气隙磁动势与气隙电动势之间的关系？为什么？

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第10题

吸力特性是指电磁机构的吸力与气隙之间的关系。()

吸力特性是指电磁机构的吸力与气隙之间的关系。（)

A、错误

B、正确

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第11题

在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生()。

A.负离子

B.空穴

C.正离子

D.电子-空六对

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