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导出理想肖特基二极管的I-V特性.

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第1题
由于肖特基二极管没有少子的电荷存储效应,因而常用在_________电子电路中。发光二极管常用GaAs材
料制作,它的正向导通电压比普通二极管的_________。变容二极管运用时应加_________电压,其原理是PN结的_________ 特性。

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第2题
根据主教材式(6.58)画出脱基二极管的,I-V曲线,并标志图中的特征值。

根据主教材式(6.58)画出脱基二极管的,I-V曲线,并标志图中的特征值。

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第3题
肖特基二极管与普通二极管相比可以在更高的频率下工作。()

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第4题
试画出题图所示各电路的端口伏-安特性曲线。其中二极管D为理想二极管。

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第5题
肖特基二极管适用于电压___________要求快速、高效的电路中。

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第6题
试设计一个由线性电阻、独立电源和理想二极管组成的一端口网络,要求它的伏安特性具有图中所示特性。

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第7题
肖特基检波器具有10pF的电容、10Ω的串联电阻以及100Ω的二极管电阻,计算它的截止频率.
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第8题
()的本质是一个场效应管。A.肖特基二极管B.电力晶体管C.可关断晶闸D.绝缘栅双极晶体管

()的本质是一个场效应管。

A.肖特基二极管

B.电力晶体管

C.可关断晶闸

D.绝缘栅双极晶体管

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第9题
(南京理工大学2009-2010年第1学期期末试题)含理想二极管的电路如图3-94所示,试作其u~i伏安特性曲

(南京理工大学2009-2010年第1学期期末试题)含理想二极管的电路如图3-94所示,试作其u~i伏安特性曲线。

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第10题
(中南大学2009年考研试题)设计一个由线性电阻、独立电源和理想二极管组成的一端口,要求它具有如图

(中南大学2009年考研试题)设计一个由线性电阻、独立电源和理想二极管组成的一端口,要求它具有如图3一30所示的伏安特性。

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第11题
某非线性特性i-v曲线如图4.4.4所示。试问如何实现此折线近似电路。

某非线性特性i-v曲线如图4.4.4所示。试问如何实现此折线近似电路。

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