现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n－Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10－3W／cm2

现有一块掺杂浓度N_D=10¹⁶cm²的n-Ge的样品，其厚度d＞＞L_p，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10^-3W/cm²的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10^-3s，电子迁移率μ_n=2800cm²/(V·s)，空穴迁移率μ_p=700cm²/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10^-34J·s，光速C=3×10¹⁰cm/s(如图所示)。

试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压V_x。