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[主观题]

作匀速运动的点电荷所产生的电场在运动方向发生“压缩”,这时在电荷的运动方向上电场E与库仑场相比较会发生减

弱。如何理解这一减弱与变换公式E∥=E'∥的关系?
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第1题
作匀速运动的点电荷所产生的电场在运动方向发生“压缩”,这时在运动方向上电场与库仑场相比较会发生减弱,如何
理解这一减弱与变换公式E=E'的关系?
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第2题
假设两同性点电荷沿着相距d的平行路径向相反方向运动,两电荷的速度都等于v,t=0时电椅的联线与运动方向相垂
直。试比较t=0时刻两电荷间的库仑力和磁力。
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第3题
匀强电场的电场强度E=4×103V/m,质子(电荷量q=1.6×10-19C,质量m=1.67×10-27kg)在电场力作用下沿电场方向运动

匀强电场的电场强度E=4×103V/m,质子(电荷量q=1.6×10-19C,质量m=1.67×10-27kg)在电场力作用下沿电场方向运动了3cm,求:

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第4题
设遵从玻尔兹曼分布的电量为e的带电粒子,在恒定电场的作用下发生漂移运动,由于存在浓度梯度又发生扩散运动,

设遵从玻尔兹曼分布的电量为e的带电粒子,在恒定电场的作用下发生漂移运动,由于存在浓度梯度又发生扩散运动,试证明:当漂移与扩散达到平衡时,存在爱因斯坦关系

式中,为粒子的迁移率(为x方向的漂移速度),D为扩散系数.

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第5题
一个电子在与一原子碰撞时经受一个2.0×1024m/s2的减速度。与减速度方向成45°角,距离20cm处,这个电子所产生的

一个电子在与一原子碰撞时经受一个2.0×1024m/s2的减速度。与减速度方向成45°角,距离20cm处,这个电子所产生的辐射电场是多大?碰撞瞬时之后,该辐射电场何时到达此处?

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第6题
一边长为4d和3d的长方形的对角上放置电荷量为q1=4μC的两个点电荷,在边长为2d和d的较小长方形的长边两端放置

一边长为4d和3d的长方形的对角上放置电荷量为q1=4μC的两个点电荷,在边长为2d和d的较小长方形的长边两端放置电荷量为q2=6μC的两个点电荷。求当小长方形绕大长方形的长边转到图中虚线所示位置时,外力反抗电场力所做的功。设d=0.1m。

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第7题
在风流运动过程中,由于井巷边壁条件的变化,风流在局部地区受到局部阻力物(如巷道断面突然变化,风流分叉与交汇,断面堵塞等)的影响和破坏,引起风流流速大小、方向和分布的突然变化,导致风流本身产生很强的冲击,形成极为紊乱的涡流,造成风流能量损失,这种均匀稳定风流经过某些局部地点所造成的附加的能量损失,称为局部阻力。()
在风流运动过程中,由于井巷边壁条件的变化,风流在局部地区受到局部阻力物(如巷道断面突然变化,风流分叉与交汇,断面堵塞等)的影响和破坏,引起风流流速大小、方向和分布的突然变化,导致风流本身产生很强的冲击,形成极为紊乱的涡流,造成风流能量损失,这种均匀稳定风流经过某些局部地点所造成的附加的能量损失,称为局部阻力。()

A.正确

B.错误

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第8题
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴

如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。

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第9题
关于液体运动的基本概念,下列正确的是()。

A.在流场中任取一非流线且不自相交的封闭曲线,通过该曲线上的每一点作流场的流线,这些流线所构成的一封闭管状曲面称为流管

B.充满以流管为边界的一束液流,称为流束

C.沿液体流动方向,在流束上取一横断面,使它在所有各点上都和流线正交,这一断面称为过流断面

D.当流束的过流断面为微元时,该流束称为元流

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第10题
在一水平面上有两根相互平行的固定导轨M1N1和M2N2,质量m1的物块P1穿在M1N1上,质量m2的物块P2穿在M2N2上,P1

在一水平面上有两根相互平行的固定导轨M1N1和M2N2,质量m1的物块P1穿在M1N1上,质量m2的物块P2穿在M2N2上,P1与P2间用一根不可伸长的轻绳连接,开始时绳处于松弛状态。今使P1获得沿导轨方向速度υ0,P2静止,如图所示,设系统处处无摩擦,P1运动一段时间后绳被拉直,其内产生拉力,同时使导轨与相应的物块间有力的作用,这些力的作用时间Δt非常短。试就下述两种情况,计算Δt刚结束时P1,P2运动速度u1,u2

(1)绳的作用不损耗系统动能;

(2)绳的作用使P1,P2沿绳长方向的速度相同。

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第11题
前庭器官的适应刺激是()。

A.头部在空间位置变化

B.机体做直线变速运动

C.机体做直线匀速运动

D.机体做旋转运动

E.内脏功能改变

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