题目内容
（请给出正确答案）
用n型硅单晶片作为衬底制成MOS结构。铝电极面积A=1.6×10-7m2。在150℃下进行负B-T和正B-T处理。分别测得如图所示的C-V曲线(1)和(2)。求：在硅—二氧化硅界面处的正电荷面密度和二氧化硅中的可动离子的面密度。
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“用n型硅单晶片作为衬底制成MOS结构。铝电极面积A=1.6×…”相关的问题
N沟道增强型MOS管的衬底是______型杂质半导体，源区和漏区是______型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的______形成的，增强型管子的含义是______。
用εr=9.6的陶瓷基片制成特性阻抗为75Ω的微带，其介质衬底高h=1mm，导带为铜，且t/h=0.02，工作频率f=6GHz，试求：
一个MOS电容器有下列参数：衬底Na=1015cm-3，VFB=2V，xo=100nm，电极面积10μm×20μm，计算：
图4-54所示为E/D MOS差分放大电路，试导出双端输出的差模电压增益Av=vo/vi表达式。设各管衬底与地相连，沟道长度调制效应忽略不计。
用Kg玻璃(n=1.5163)制成He-Ne激光器腔管上的布儒斯特窗片。问窗片的法线与激光轴夹角应为多大？
A.薄膜包衣用的高分子材料中常加入增塑剂，其作用是增加高分子材料的柔顺性
B.HPMCP是一种常用的肠溶型薄膜包衣材料
C.弹性复原率大的片剂，可压性好，不易裂片
D.不同物料在相同压力下压制成片剂，抗张强度大的片剂说明该物料的压缩成型性好
E.水分散体包衣后并不能立即形成连续膜，而是聚合物粒子黏附于片芯表面
