首页 > 机械工程> 传感器与测试技术
题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

受光照的半导体材料的电导率发生变化或产生光电动势的效应称为外光电效应。()

受光照的半导体材料的电导率发生变化或产生光电动势的效应称为外光电效应。()

A.错误

B.正确

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“受光照的半导体材料的电导率发生变化或产生光电动势的效应称为外…”相关的问题
第1题
在压磁式传感器中,当受外力F作用时,磁力线分布发生变化,部份磁力线和测量绕组交链,并在绕组中产生感应电势。()
在压磁式传感器中,当受外力F作用时,磁力线分布发生变化,部份磁力线和测量绕组交链,并在绕组中产生感应电势。()

A、错误

B、正确

点击查看答案
第2题
下列选项中属于承载能力极限状态的是()。
下列选项中属于承载能力极限状态的是()。

A、整个结构或结构的一部分作为刚体失去平衡,如倾覆、滑移

B、结构构件或连接部位因材料强

C、度超过限值而破坏

D、结构构件或连接因产生过度的塑性变形而不适于继续承载(如受弯构件中的少筋梁)

E、影响正常使用的振动

F、结构变为机动体而失去承载能力

点击查看答案
第3题
金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在平行于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。()
金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在平行于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。()

A.正确

B.错误

点击查看答案
第4题
下列措施不能起到防止污闪作用的是()。

A. 减小爬电比距

B. 定期或不定期清扫

C. 采用半导体釉绝缘子

D. 在绝缘子表面涂上憎水性材料

点击查看答案
第5题
在光线作用下,物体电导性能发生变化或产生一定方向的电动势的现象,称为内光电效应。()
点击查看答案
第6题
时际法律冲突产生的原因包括()。

A.一国的冲突规范发生变化

B.一国的实体规范发生变化

C.一国政权更替,领土发生变更,或当事人国籍、住所发生变更导致法律发生变化

D.一国的法域出现变化

点击查看答案
第7题
在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

点击查看答案
第8题
半导体光检测器基于光发射与光吸收中的()过程工作。

A.自发辐射

B.受激辐射

C.光吸收

D.热辐射

点击查看答案
第9题
半导体应变片的工作原理基于半导体材料的热阻效应。()
半导体应变片的工作原理基于半导体材料的热阻效应。()

A.正确

B.错误

点击查看答案
第10题
通常从正确性、易读性、健壮性、高效性等四个方面评价算法的质量,以下解释错误的是()。

A.正确性算法应能正确地实现预定的功能

B.易读性算法应易于阅读和理解,以便调试、修改和扩充

C.健壮性当环境发生变化时,算法能适当地做出反应或进行处理,不会产生不需要的运行结果

D.高效性即达到所需要的时间性能空间

点击查看答案
第11题
在计算机系统中,由半导体材料制成的存储器是()

A.磁盘、RAM

B.光盘、ROM

C.磁盘、ROM

D.RAM,ROM

点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改