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电导率为2000S/cm的n型PoTe，其电子迁移率为6000cm2/(V·s)，电子有效质量为0.2m0，设为长声学波散射，求室温时温差电动势率和帕尔帖系数。
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设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10-6W/cm2的光照射时，其吸收系数α=102/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10-4s，b=μn/μp=10，μn=10000cm2/(V·s)，求对应的量子产额。
一个电导率为0.001/(Ω·cm)的硅样品，在弱磁场下霍尔电压为零。假设电子[μn=1300cm2/(V·s)]和空穴[μp=300cm2/(V·s)]的霍尔因子相同，试确定载流子密度。
A.距离为1 cm的两电极间含有1 mol电解质时溶液的电导；
B.距离为1 m的两电极问含有1 g电解质时溶液的电导；
C.距离为1 cm的两电极间含有1 g电解质时溶液的电导；
D.距离为1 m的两电极间含有1 mol电解质时溶液的电导。
锗的热电导率为60W/m·K，求电阻率为0.01Ω·m的n型锗单晶，300K时载流子对热电导率的贡献所占的百分比(设长声学波散射)。
Rossetti said that the young art student______.
A．would have a bright future
B．had some potential, but not great talent
C．was as talented as the old man
D．showed little talent in painting
求证：方程AHAx=AHb对于任意的A∈Cm×n，b∈Cm一定有解。
若A=AH=A2∈Cm×n，rank(a)=γ，则存在酉阵U∈Cn×n，使得
设A∈Cm×n是正交投影，则A的特征值非0即1．
设A∈Cm×n，则(1)N(A)=N(AHA)，N(AH)=N(AAH)； (2)R(A)=R(AAH)，R(AH)=R(AHA)；(3)rank(A)=rank(AHA)=rank(AAH)．
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