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（请给出正确答案）
(1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度ND=1012cm-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。(2) 将含有杂质P的硅晶体重掺杂到ND=1019cm-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。
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A、错误
B、正确
