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[主观题]

V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:

V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmREV管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:V管和VT管组成的混合放大电路如1、βV管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:V管和VT管组成的混合放大电路如1。试:

V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:V管和VT管组成的混合放大电路如

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第1题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。

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第2题
用PN结温度传感器配接的放大电路如下图所示。其中RW1和R3调节温度T和输出电压Vo的对应关系,RW2用于调节增益。

用PN结温度传感器配接的放大电路如下图所示。其中RW1和R3调节温度T和输出电压Vo的对应关系,RW2用于调节增益。若R3R2,PN结温度特性为-2.2mV/℃,试求:

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第3题
电路如下图所示,输入信号ui=0.5sinωt(V),RL=8Ω,试求扬声器上的功率PL。

电路如下图所示,输入信号ui=0.5sinωt(V),RL=8Ω,试求扬声器上的功率PL

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第4题
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过低,容易产生()。

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.线性失真

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第5题
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.线性失真

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第6题
由理想二极管组成的电路如下图所示,则Uₒ=()

A.6V

B.-10V

C.0V

D.-6V

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第7题
判断下图所示电路中,哪个电流表的读数大?哪个电流表的读数小?为什么?(D1为硅管,D2为锗管)。

判断下图所示电路中,哪个电流表的读数大?哪个电流表的读数小?为什么?(D1为硅管,D2为锗管)。

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第8题
已知两个单管放大电路的电压放大倍数分别为20和30,若将它们连接起来组成两级阻容耦合放大电路,其总的电压放大倍数约为()。

A、50

B、10

C、600

D、无法确定

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第9题
写出由PLA组成的如下图所示电路中的F1和F2的表达式。

写出由PLA组成的如下图所示电路中的F1和F2的表达式。

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第10题
下图所示电路中,当时,测得I=10A;当时,测得U=200V,I=6A。则U₁=()V,U₂=()V。
下图所示电路中,当时,测得I=10A;当时,测得U=200V,I=6A。则U₁=()V,U₂=()V。

下图所示电路中,当时,测得I=10A;当时,测得U=200V,I=6A。则U₁=()V,U₂=()V。

A.105.8V,120.4V

B.105.8V,169.7V

C.140.6V,120.4V

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第11题
某电路的一部分如下图所示,电压u和电流i分别为()。

A.100V,20mA

B.5V,20mA

C.50V,20mA

D.50V,10mA

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