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[主观题]

已知晶体的全部参数,请确定如图所示皮尔斯晶体振荡器中单MOSFET的跨导值(或者直流偏置)。

已知晶体的全部参数,请确定如图所示皮尔斯晶体振荡器中单MOSFET的跨导值(或者直流偏置)。

已知晶体的全部参数,请确定如图所示皮尔斯晶体振荡器中单MOSFET的跨导值(或者直流偏置)。已知晶体

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F类功率放大器需要一个1/4波长的传输线,在较低频率的应用中,1/4波长传输线过长,此时可以用集总参数的电感、电容替代,如图所示电路。根据F类功率放大器的工作原理,请确定下图中各个电感及电容的取值方法。

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间接调频电路如图所示,放大器ICQ=2mA,忽略三极管输入、输出阻抗影响。L和Cj均为无损耗,已知RC=4.7kΩ,变容管参数n=3,VB=0.7,Cj0=5000pF,输入电压vi(t)=10cos5×108t(mV),vΩ(t)=0.2cos104。t(V)。要求:

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第11题
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已知u(t)、i(t)波形如图所示,试填空:

f=______;T=______;ω=______

φu=______;φi=______;

U=______;I=______;

正弦表达式:u=______;i=______;

电压电流相位关系:______;该网络呈______性;

网络复阻抗Z=______;阻抗模:|Z|=______;阻抗角:φ=______。

复阻抗参数:R=______;L(或C)=______;

有功功率:P=______;无功功率:Q=______;

视在功率:S=______;功率因数:cosφ=______。

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