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[主观题]
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。
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计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。
若在上题图所示差分放大电路中以T1管的集电极对地作为输出,参数与上题相同,试回答上题所提出的两个问题;若以T2管的集电极对地作为输出,Ad将有何变化?
下图所示电路中,运算放大器为理想的,Rw为电位器。试证明ab间的等效电容Cab=(1-k)C,式中k为电位器Rw的分压系数。
分析下图(a)、(b)所示两个稳压电路,确定电路能否正常工作。已知稳压管VDZ1的参数Cz1=12V,额定功耗Pz1=150mW,Iz1min=5mA;VDZ2的参数Vz2=6V,额定功耗Pz2=150mW,Iz1min=5mA。
分析下图所示整流电路的结构特点,计算输出电压uO1和uO2的值及流过每只二极管的平均电流。