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图6．3．14所示为一个超外差式晶体管混频器电路。试回答：
(a)连接于集电极的谐振回路为什么要采用部分接入？ (b)若该混频器在接收到频率为1080kHz的电台时本振频率为1620kHz，且产生了第二类组合干扰，则该混频器输出端除了有1080kHz的电台信号外，还会出现另一个频率的电台信号，试计算该电台的频率等于多少？
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在图4-24所示电路中，已知由晶体管等效电路所构成的二端口网络混合参数矩阵为
如果激励源电压=10mV，内阻抗Zs=1kΩ，负载导纳YL=10-3s，试求负载端电压
。
13．图所示电路中的晶体管的归一化Y参数为
在图4-64所示反馈型电流源电路中，三个晶体管的参数相同。试推导I0与IR之间的关系式。
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0～D3的逻辑式。
在图6-12所示的反对数变换器中，试证：
，其中
。已知VB=7V，R1=10kΩ，R2=15.7kΩ，R3=1kΩ，R5=10kΩ，试问：当vS由1mV变到10V时，在室温下相应vO的变化范围是多少？设各集成运放是理想的，各晶体管特件相同。
一个理想气体系统，经历了图12-1所示的三个过程，其中过程Ⅰ→Ⅱ为绝热过程．试讨论过程Ⅰ→Ⅱ和Ⅰ"→Ⅱ吸收的热量如何．
图2-31所示网络是一个含有耦合电感元件的正弦交流网络。试选支路R1、R2、R3、C1为树，写出该网络的矩阵形式的回路方程。
