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[主观题]
晶体二极管的伏安特性用理想指数模型表示,当V=VQ+△V,并用泰勒级数在Q点上对△V展开。若认为△V的二次方项比一
晶体二极管的伏安特性用理想指数模型表示,当V=VQ+△V,并用泰勒级数在Q点上对△V展开。若认为△V的二次方项比一次方项小十分之一以上时,二次方及其以上各项可忽略。试求|△V|的最大允许值。
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晶体二极管的伏安特性用理想指数模型表示,当V=VQ+△V,并用泰勒级数在Q点上对△V展开。若认为△V的二次方项比一次方项小十分之一以上时,二次方及其以上各项可忽略。试求|△V|的最大允许值。
(南京理工大学2009-2010年第1学期期末试题)含理想二极管的电路如图3-94所示,试作其u~i伏安特性曲线。
(中南大学2009年考研试题)设计一个由线性电阻、独立电源和理想二极管组成的一端口,要求它具有如图3一30所示的伏安特性。
如图13.4.10所示,理想变压器变比为2:1,一次测径一非线性电阻接在正弦交流电源uS(t)=100sinωtV上,非线性电阻的伏安特性为:iR(t)=[0.3uR(t)+0.04(t)]×10-3A,倘若变压器的二次侧与内阻为零的电动式安培表(仪表读数为有效值)相接,求:
A.300KHz
B.50KHz
C.400KHz
D.200KHz
如图84所示,理想变压器变比为2:1,一次侧经一非线性电阻接在正弦交流电源us(t)=100sinωt V上,非线性电阻的伏安特性为iR(t)=[0.3uR(t)+0.04u2R(t)]×10-3A,倘若变压器的二次侧与内阻为零的电动式安培表(仪表读数为有效值)相接,求:
用图解法求图11.3.4所示电路中通过二极管的电流。已知uS=1V,R=1Ω;二极管的伏安特性可表示为i=10-6(e40u-1),i、u的单位分别为A、V。
如图12.3.4所示电路中,已知uS=24+3cosωt,非线性电阻伏安特性为u=2i2(i>0)。用小信号分析法可得电压u=______。