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[主观题]
已知图11.15所示ROM的地址译码器输出W0~W3均高电平有效,若要使位线上输出函数分别为 试用二极管作存储元
已知图11.15所示ROM的地址译码器输出W0~W3均高电平有效,若要使位线上输出函数分别为
试用二极管作存储元件,构成上述ROM的存储矩阵(提示:先用最小项表示各输出函数)。
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已知图11.15所示ROM的地址译码器输出W0~W3均高电平有效,若要使位线上输出函数分别为
试用二极管作存储元件,构成上述ROM的存储矩阵(提示:先用最小项表示各输出函数)。
已知异或门的平均延迟时间为tpd,输入信号A波形宽度tw=4tpd,试分析图L3-12(a)所示电路的功能,并画出输出-输入的波形关系图。
已知逻辑函数如图T6.1-1的ROM阵列所示。求输出函数D3,D2,D1,D0,并化简,然后用现场可编程逻辑阵列(FPLA)实现同一功能。
图7.3.3l所示电路是由MSI 3-8线译码器74138和移存器74LS198组成的可控分频器。试分析电路分频比与输入信号CBA的关系。
说明图P5.9所示ROM各存储单元中存储的数据,并分别写出D7,D6,…,D0的函数表达式。
在图22.12所示中,ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0~D3的逻辑式。