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[主观题]

生产半导体元件的硅晶体、锗晶体都是()。A.单晶体B.多晶体C.化合物D.混合物

生产半导体元件的硅晶体、锗晶体都是()。

A.单晶体

B.多晶体

C.化合物

D.混合物

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第1题
生产半导体元件的硅晶体、锗晶体都是()。A.单晶体B.多晶体C.液晶D.同素异构晶体

生产半导体元件的硅晶体、锗晶体都是()。

A.单晶体

B.多晶体

C.液晶

D.同素异构晶体

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第2题
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

A.0.7V

B.0.6V

C.0.3V

D.0.4V

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第3题
下列第()组传感器都是把被测量变换为电动势输出的。

A.热电偶、电涡流、电阻应变

B.热电偶、霍尔、半导体气敏传感器

C.硅光电池、霍尔、磁电式

D.压电、霍尔、电感式

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第4题
试述硅晶体经过辐照后所产生的影响。
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第5题
假设半导体晶体受到电场E和磁场B的作用,且E在x-y平面上,B沿z方向,试在计入磁场对电子的各级作用下,推导半导
体电子在电磁场中的分布函数。
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第6题
ⅣA族的碳、硅,ⅢA族的硼的单质属于________晶体。

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第7题
在X荧光分析中不常使用的探测器是()。

A、正比计数器

B、闪烁计数器

C、晶体计数器

D、半导体探测器

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第8题
霍尔元件是利用半导体元件的___特性工作的。

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第9题
()晶体管时间继电器也称半导体时间继电器或称电子式时间继电器,是自动控制系统的重要元件。

( )晶体管时间继电器也称半导体时间继电器或称电子式时间继电器,是自动控制系统的重要元件。

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第10题
一金属板与n型硅相距0.4μm,构成平行板电容器,其间的干燥空气的相对介电常数εra=1,当金属端加负电压时,半导

一金属板与n型硅相距0.4μm,构成平行板电容器,其间的干燥空气的相对介电常数εra=1,当金属端加负电压时,半导体处于耗尽状态。

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第11题
完成下面表格和图中元件的标注。 电容器 C4 电阻器 R1~R2   R3   R6

完成下面表格和图中元件的标注。

电容器

C4

电阻器

R1~R2   R3   R6

半导体管

V3

其他元件

B1  X1

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