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在图所示的电路中，VT1、VT2参数相同，β=50，UEB=0.2V，rbb'=300Ω。求：(1)VT1、VT2的静态工作点；(2)、Ri和Ro。
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图所示电路中VT1、VT2和VT3参数相同，β=100，rbb'=100Ω，hoe=20μS，UBE1=UEB2=UEB3=0.7V，调节Rb1使VT3的偏流IC3=IQ。试计算：
(1)
(2)假设在保持偏流IC3=IQ不变的条件下令R1为零，则此时的又是多少？
题4-11图所示电路为OTL互补对称式输出电路。(1)在图中标出VT1和VT2管的类型；(2)简述电路具有双向跟随的作用。
图题7.28所示电路中，VT2、VT3为VT1提供恒定偏置电流。VT1集-基结电容为Ccb，与集一基结电容上ucb(t)的关系为：Ccb=kcucb(t)-0.5。(1)试求输出电压uo(t)的瞬时角频率表达式；(2)若C1=5pF，C2=100pF,L=1uH，VCC=10V，kc=1.75pF/V，uΩ(t)=cos(103t) (V)，试写出uo(t)的表达式。
三极管VT1和VT2组成图6-8所示的微电流电路。
(1) 根据二极管电流方程，导出VT1和VT2两管的工作电流IC1、 IC2的关系式；
(2) 若测得IC2=28μA，IC1=0.73mA，估算电阻Re和R的阻值。
电路如图(a)所示，设VT1、VT2、VT3的rds均为无穷大，跨导分别为gm1、gm2、gm3；背栅跨导分别为gmb1、gmb2、gmb3。试计算
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
电路如下图所示，输入为正弦信号。计算理想情况下负载上的最大不失真功率。VT1和VT2是有散热片的功率管，其最大总耗散功率为30W。当集电极电流的幅值为
下图是一个由结型场效应管作为偏置电路的电流源电路，偏置电流一般只有几十微安。已知晶体管VT1、VT2、VT3的特性相同，试分析该电路的特殊优点，并推导出IC1的表达式。
在图4-64所示反馈型电流源电路中，三个晶体管的参数相同。试推导I0与IR之间的关系式。
