试推导图6-8所示电路中vo(t)与vs(t)之间的关系式,设各集成运放是理想的。
试推导图6-8所示电路中vo(t)与vs(t)之间的关系式,设各集成运放是理想的。
试推导图6-8所示电路中vo(t)与vs(t)之间的关系式,设各集成运放是理想的。
在图4-76所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb'=50Ω,rb'e=1.3kΩ,Cb'e=2pF,fT=300MHz。试求高频电压传递函数Avs(s)=Vo(s)/Vs(s)的表示式。
在图6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中。已知VB=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当vS由1mV变到10V时,在室温下相应vO的变化范围是多少?设各集成运放是理想的,各晶体管特件相同。
在图4-64所示反馈型电流源电路中,三个晶体管的参数相同。试推导I0与IR之间的关系式。
在图6-25所示电路中,已知VIO=3mV,IIO=20×10-9A,运放的其余参数均为理想值,试求△vO值。
在图6-22所示电路中,若集成运放的Avd、Rid、Rod为有限值,试在满足RodRidAvd的条件下,求出输出电压vO的表达式。
即RC、RL的大小与rce可比拟,rce不能忽略,根据图4-24(a)所示电路,在满足,的条件下,经推导试证:
Av=gm(rce∥RC∥RL),Ai=-α
,
图a电路中,L1=1H,L2=2H,M=0.5H,C=2F,动态元件都是零初始,is为正弦半波,波形如图b所示,2-2'开路,试计算t≥0后的电压u与uoc。
图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。
用PN结温度传感器配接的放大电路如下图所示。其中RW1和R3调节温度T和输出电压Vo的对应关系,RW2用于调节增益。若R3R2,PN结温度特性为-2.2mV/℃,试求:
图a中的方块表示电路元件,设流经该段电路的电荷量q(t)随t的改变如图b所示,试画出电流i的波形,并指出在t=0s与t=3s两个时刻电流i的实际流向。