![](https://static.youtibao.com/asksite/comm/h5/images/m_q_title.png)
[主观题]
试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力,粗略地证明P型半导体的霍耳系数,n'型半导体的霍耳系数,式中np
试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力,粗略地证明P型半导体的霍耳系数,n'型半导体的霍耳系数
,式中np和nn分别表示空穴或电子的浓度.
查看答案
![](https://static.youtibao.com/asksite/comm/h5/images/solist_ts.png)
试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力,粗略地证明P型半导体的霍耳系数,n'型半导体的霍耳系数
,式中np和nn分别表示空穴或电子的浓度.
质子(m=1.67×10-27kg,q=1.6×10-19C)以速度ν=0.8×107m/s垂直进入B=0.2T的匀强磁场。画出质子运动轨迹,标出ν、B、F的方向。求质子所受洛伦兹力的大小、回旋半径和运动周期。
有一个处于小信号工作状态的长为l的ASE(放大的自发辐射)光源,其工作物质具有洛伦兹均匀加宽线型,它的小信号中心频率增益系数是gm。 (1)求gml<<1时的δν;(2)求gml>>1时的δv。
A.从A向B移动同时基尼系数上升
B.从A向B移动同时基尼系数下降
C.从B向A移动同时基尼系数上升
D.从B向A移动同时基尼系数下降