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一MOS结构中SiO2层的厚度为d0=2000nm，其中电荷密度分布分别为：(1)ρ(x)=ρ0exp(-x/l)，(2)ρ(x)=ρ0sh(x/d0)，试推导出由此空间电荷引起的VFB变化的表达式。看在(1)中l=2d0，ρ0=qN，N=1016/cm3，求(1)、(2)两种情况下VFB变化的数值。
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一半径为8cm的导体球上套一层厚度为2cm的介质层，假设导体球带电荷为4×10-6C，介质的εr=2，计算距离球心250cm地方的电位。
A.0.20
B.0.19
C.0.21
D.0.24
A.0.20
B.0.19
C.0.21
D.0.24
(1)证明当氧化层中电荷分布为ρ(x)时，相应的平带电压变化可用下式表示：
(2)若全部电荷Q0都位于硅-氧化硅的界面上，重复(1)．
(3)若电荷成三角分布(总电荷量为Q0)，它的峰值在x=0． 在x=x0处为零(x0为氧化层厚度)，重复(1)．
A.84
B.584
C.779
D.824
图6．3．1是某PROM电路编程后的结构示意图。 (1)根据电路结构示意图，分析地址单元0～3中存储的内容，列出PROM的地址与存储内容对应关系的真值表。 (2)若把A1、A0看作输入变量，数据码D3、D2、D1、D0作为输出函数，试分别写出D3、D2、D1、D0的表达式。
1.jpg)
在P型衬底上的CCD，Na=2×1014cm-3，氧化层厚度为150nm，电极面积为10μm×20μm．
