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[主观题]

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()

A.错误

B.正确

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第1题
()的本质是一个场效应管。A.肖特基二极管B.电力晶体管C.可关断晶闸D.绝缘栅双极晶体管

()的本质是一个场效应管。

A.肖特基二极管

B.电力晶体管

C.可关断晶闸

D.绝缘栅双极晶体管

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第2题
有一场效应管电抗管电路,对10MHz主振器进行调频,得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线

有一场效应管电抗管电路,对10MHz主振器进行调频,得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线性变化范围为0~0.628mS,取电阻R为电容C的容抗的1/10。试计算振荡器回路的电感和电容。

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第3题
额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。()
额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。()

T.对

F.错

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第4题
额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。()
额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。()

A.正确

B.错误

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第5题
P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()
P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()

A.错误

B.正确

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第6题
P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()
P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

A.正确

B.错误

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第7题
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。()
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。()

A.错误

B.正确

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第8题
场效应管是通过改变(),来改变漏极电流的。
场效应管是通过改变(),来改变漏极电流的。

A.栅极电流

B.栅源电压

C.漏源电压

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第9题
结型场效应管利用栅源极间所加的来改变导电沟道的电阻

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第10题
场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。

A.增强型

B.耗尽型

C.增强型和耗尽型

D.以上均不对

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第11题
绝缘栅双极型晶体管的简称是()。

A.PowerMOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

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