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第2题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA／V2，VP=－4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
第4题
已知某传感器特性方程为v1=5e2x，x为传感器的输入，v1为传感器的输出。如果对此传感器进行非线性补偿，实现vo=2
已知某传感器特性方程为v1=5e2x，x为传感器的输入，v1为传感器的输出。如果对此传感器进行非线性补偿，实现vo=2x的补偿效果，试分别求开环和闭环两种补偿方式下补偿函数的表示式，并画出相应的补偿电路原理框图。
求点(1，1，1)在直线[2，1，1]上的共轭点．第8题
某星形联结的三相凸极同步发电机，其额定值为：SN=1650kV·A，UN=6.6kV，IfN=55A，E0N=7304V，cosφN=0.85（滞后)。已
某星形联结的三相凸极同步发电机，其额定值为：SN=1650kV·A，UN=6.6kV，IfN=55A，E0N=7304V，cosφN=0.85(滞后)。已知Xd=3.18Ω，Xq=2.11Ω，忽略电枢电阻，并不计磁路饱和的影响。试问当发电机输出电流为1200A，且功率因数不变时，若要保持端电压仍为额定值，励磁电流应为多少？
第9题
在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。（1)画出简化阵列图。（2)列表说明其存储的内容。（3)写
在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0～D3的逻辑式。
