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[主观题]
电路如下图（a)所示，非线性电阻元件R的伏安特性如图（b)所示，试求IR和UR？
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在附图-8所示电路中，非线性电阻元件特性的表达式为
电路如图11.3.7所示，非线性电阻元件特性的表达式为
电路如图11.3.6所示，非线性电阻元件特性的表达式为i=2u2(u＞0)，i、u的单位分别为A、V，并设iS=10A，ΔiS=sinωtA，R1=1Ω。试用小信号分析法求非线性电阻元件的端电压u。
在下图所示的电路中，R=20Ω，ωL=5Ω，1/(ωC)=45Ω，
，现欲使电流i中含有尽可能大的基波分量，Z应是()元件。
A.电阻
B.电感
C.电容
电路如下图所示。已知晶体管VT1～VT3特性相同，集电极电流
晶体管平均包络检波电路如下图(a)所示，C为滤波电容，R为检波负载电阻，图(b)所示为晶体管的转移特性，其斜率gc=100mS，已知VBB=0.5V，us(t)=0.2[1+0.5cos(Ωt)]cos(ωct)V。
如图(a)所示电路中，直流电压源Us=3.5V，R=1Ω，非线性电阻的伏安特性曲线如图(b)所示。
如图11.4.3所示，非线性电阻元件特性的表达式为u=(1/5)i3-2i，i、u的单位分别为A、V，并设uS=25V，△uS=sintV，R=2Ω，试用小信号分析法求电流i。
在附图-4所示电路中，us=2V，R1=R2=2Ω，非线性电阻元件的特性用
