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[主观题]

下图所示电路中,设所有晶体管的β均为30,VT3和VT4的rbe=2.5kΩ,场效应管的gm=4mS,其他参数如图中所示,图中所

下图所示电路中,设所有晶体管的β均为30,VT3和VT4的rbe=2.5kΩ,场效应管的gm=4mS,其他参数如图中所示,图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试:

下图所示电路中,设所有晶体管的β均为30,VT3和VT4的rbe=2.5kΩ,场效应管的gm=4mS

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第1题
电路如下图所示,设各触发器的初态均为“0”。CP脉冲周期T=20s,脉宽tP=10s。要求:

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第2题
下图所示为一个超外差式晶体管混频器电路。试回答:

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第3题
设图所示的电路中四个晶体管性能一致,β=100。试计算IC3、IC4。

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第4题
由理想运放组成的电压一电流变换电路如下图所示。设电路中ILI1,欲IL=5mA,vi=?

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第5题
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第6题
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设CPLD中某宏单元编程后电路如下图所示,图中画出了S1~S8和M1、M3编程后的连接。数据分配器S1~S8未被选中的输出为0。已知各乘积项如下图中所示。

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第7题
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指出下图所示电路中三极管集电极直流电位(设三极管为硅管β=100)、集成功放5端直流电位的大小。若采用8Ω扬声器,试求最大不失真输出电压有效值Uo

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第8题
电路如图4.2.9(a)所示。设两个触发器初态均为0,试在图4.2.9(b)中画出B、C波形。

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第9题
电路如下图所示,计算输出电压UO的调节范围。设UEB=0.2V。

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第10题
电路如图18-31所示,设I'i≈I'o=1.5A,晶体管T的UPE≈UD,R1=1Ω,R2=2Ω,。求解负载电流IL与I'o的关系

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第11题
电路如下图所示,VCC=15V,设VT4、VT5管的饱和压降可以忽略,RF=3.8kΩ,R1=200Ω。问:

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