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[主观题]
(1)若已知发射结电压VBE随温度变化的规律为 式中Eg0为禁带宽度。试导出VIO温漂即dVIO/dT的表达式。 (2)若
(1)若已知发射结电压VBE随温度变化的规律为
式中Eg0为禁带宽度。试导出VIO温漂即dVIO/dT的表达式。
(2)若已知IB随温度变化的规律为
试导出IIO温漂即dIIO/dT的表达式。
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(1)若已知发射结电压VBE随温度变化的规律为
式中Eg0为禁带宽度。试导出VIO温漂即dVIO/dT的表达式。
(2)若已知IB随温度变化的规律为
试导出IIO温漂即dIIO/dT的表达式。
A.正确
B.错误
当温度升高时,三极管的Icbo、β增加,Vbe减小。()
A.错误
B.正确
电路如图所示,其中Vcc=15V,Rb1=10KΩ,Rb2=2.5KΩ,Rc=2KΩ,Re=750Ω,RL=1.5KΩ,β=150,VBE=15V,电压放大倍数Av为()。
A.6.7
B.-6.7
C.-9.8
A.μ= 2 × 10 - 3 kg·mol – 1,气体为氢气
B.μ= 32 × 10 - 3 kg·mol – 1,气体为氧气
C.μ= 1 × 10 - 3 kg·mol – 1,气体为氢气
D.μ= 16 × 10 - 3 kg·mol – 1,气体为氧气
电路如图所示,其中Vcc=12V,Rb1=60KΩ,Rb2=20KΩ,Rc=6KΩ,Rs=200Ω,Re1=300Ω,Re2=2.7KΩ,RL=6KΩ,β=50,VBE=0.6V,电容C1,C2,Ce都足够大,电压放大倍数Av为()。
A.8.7
B.-8.7
C.-10