题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
如图所示为一柱透镜汇聚的光照射在一条状半导体pn结上,已知在室温下n区电阻率为40Ω·cm,p区电阻率为0.1Ω·cm,
反向饱和电流为1μA,电子迁移率为3600cm2/(V·s),空穴迁移率为1800cm2/(V·s),n区的电子深度为3×1013cm-3,试回答下列问题:
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