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[主观题]

证明总自旋不为零的离子中,未填满壳层贡献的顺磁化率χp和内壳层贡献的抗磁化率χd之比为 其中Z是满壳层

证明总自旋不为零的离子中,未填满壳层贡献的顺磁化率χp和内壳层贡献的抗磁化率χd之比为

证明总自旋不为零的离子中,未填满壳层贡献的顺磁化率χp和内壳层贡献的抗磁化率χd之比为      其

其中Z是满壳层中的总电子数,J是原子自旋量子数。

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第1题
热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即 已知势阱中存在一个束缚态(l=0)能级,其值为

热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即

已知势阱中存在一个束缚态(l=0)能级,其值为

ε=-2.23MeV

(氘核结合能).热中子动能约为.势阱宽(核力力程)a≈2×10-13cm,V。约25~30MeV.试证明散射只在s道(l=0)进行,总截面可以近似表示成

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第2题
作为一维铁磁体的简化模型,考虑自旋为的许多粒子排列在一直线上,每个粒子各处一定的位置,如图所示.假设每个

作为一维铁磁体的简化模型,考虑自旋为的许多粒子排列在一直线上,每个粒子各处一定的位置,如图所示.假设每个粒子只与左右近邻发生自旋一自旋相互作用,体系的总能量算符为(取h=1)

,γ>0

试证明(a)总自旋

为守恒量;(b)在体系的基态下,相邻粒子之间必然构成自旋三重态(自旋指向互相“平行”).讨论基态能级的简并度.

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第3题
设曲面M的第3基本形式为Ⅲ=edu2+2fdudv+gdv2. 证明: (1)曲面M的一个双曲点P处,在曲率不为零的渐

曲面M的一个双曲点P处,在曲率不为零的渐近曲线上,有

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第4题
下列配体中,与过渡金属离子只能形成低自旋八面体配合物的是()。

A.F - ;

B.I - ;

C.H 2 O;

D.CN - 。

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第5题
计算总纵强度用的静置法,下列说法正确的是()。

A.船以波速在波浪前进方向上运动。

B.船与波的相对速度不为零。

C.可认为是重力和浮力作用下静平衡于波浪上的一根梁。

D.求出总纵弯曲力矩以及相应的应力,并与许用应力比较以判定强度。

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第6题
由于 F - 离子的半径小,电场强,所以由 F - 作配体形成的过渡金属离子八面体配合物都是低自旋

由于 F - 离子的半径小,电场强,所以由 F - 作配体形成的过渡金属离子八面体配合物都是低自旋配合物。()

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第7题
下列分子中偶极矩不为零的是()

A.CCl4

B. NH3

C. SF6

D. BeCl2

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第8题
一个给定势对零自旋粒子的散射量子理论给出如下波函数的渐近表达式

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第9题
在下列各分子中,偶极矩不为零的是()。

A.BeCl₂

B.BF₃

C.NF₃

D.CH₄

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第10题
一组数据中每个观测值都加上一个不为零的常数C,所得标准差也增加C。()
一组数据中每个观测值都加上一个不为零的常数C,所得标准差也增加C。()

A.错误

B.正确

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第11题
下列关于三相负载星形连接中线的说法中正确的是()。

A.若负载对称则中线电流等于零

B.若负载对称则中线电流不为零

C.若负载不对称则中线电流等于零

D.若负载不对称则中线电流不为零

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