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更多“图1—21所示为一测量气体的装置，在操作条件下，气体的密度为…”相关的问题
图4-31所示为一测量装置，可用压力p2指示间隙宽度x。灵敏度被定义为p2对x的变化，即dp2/dx。试求出灵敏度最大的条件。
均匀加宽气体激光工作物质的能级图如下图所示，其中能级0为基态。单位体积基态分子至上能级3的泵浦速率为R3，如果τ3/τ1合适，则可获得能级3→能级1跃迁的增益。然而基态分子也可被激励到能级2(单位体积的泵浦速率为R2)，如有与λ21相应的谐振腔，能级2→能级1跃迁可形成激光，它将使能级1的分子数密度增加，并使波长λ31的增益下降。假设系统处于稳态，各能级的统计权重均为1，能级2→能级1的自发辐射可忽略不计，1/τ3=1/τ30+1/τ31。
图4．11(a)所示的环腔激光器中的激活介质为均匀加宽介质，跃迁中心波长λ0=600m，跃迁几率A21=6×104s-1，自发辐射线型为图4．11(b)所示的三角形，假设增益介质端面一空气间无损耗，上能级寿命为3．9μs，小信号反转粒子数密度△n0=5×1013cm-3。激光按逆时针方向振荡。求： (1)中心频率发射截面σ21，饱和光强Is和阈值反转粒子数密度； (2)在阈值以上有多少个TEM00q模； (3)腔内光强达到3×Is时的反转粒子数密度； (4)M2镜输出光强。
金属钡(Wm=2.48eV)表面受到紫色光(λ=430nm)照射时，能否放出光电子，放出能量为多少？在图所示的光电测量装置中，如果光由正面照射，且hν＞qΦns将产生怎样的结果；此时若金属层很薄，且hν＞Eg(半导体禁带宽度)，其结果又如何？请解释如何用这一方法来测量金属半导体接触时金属一边的势垒高度。
均匀加宽气体激光工作物质的能级图如图3．12所示
其中能级0为基态。单位体积基态分子至上能级3的泵浦速率为R3，如果τ3／τ1合适，则可获得能级3→能级1跃迁的增益。然而基态分子也可被激励到能级2(单位体积的泵浦速率为R2)，如有与λ21相应的谐振腔，能级2→能级1跃迁可形成激光，它将使能级1的分子数密度增加，并使波长λ31的增益下降。假设系统处于稳态，各能级的统计权重均为1，能级2→能级1的自发辐射可忽略不计，1／τ3=1／τ30十1／τ31。 (1)假设R2=0，能级2→能级1的跃迁未形成激光，写出能级3→能级1跃迁的小信号中心频率增益系数g0(λ31)的表示式； (2)假设R2≠0，能级2→能级1跃迁被激光强烈饱和，并忽略能级2→能级1的自发辐射，写出小信号中心频率增益系数g0(λ31)的表示式。
图所示是磁流体发电机的示意图。将气体加热到高温(如2500K以上)使之电离成等离子体，并让它通过平行板电极1，2之间，在这里有一垂直于纸面向里的磁场B。试说明这时两电极间会产生一个大小为vBd的电压(v为气体速度，d为电极间距)。并指出哪个电极是正极？
对图2-41所示电阻网络进行两次测量。第一次在1、1'端间加上电压源us，2、2'端短路(见图2-41(a))，测得电阻R11上的电压为u11=0.2us，第二次在2、2'端间加上同一电压源us，1、1'端短路(见图2-41(b))，测得电阻R1上的电压
A.读数为US值
B.读数为0
C.读数缓慢下降
D.所承受的最高电压远远超过其量程，从而在换路后不久即遭受损坏
如题8一12图所示，一包裹以速度v=3m／s在距地面高为h=1m的传送带上滑向半圆柱体。试求：(1)该包裹离开圆柱体时角θ值；(2)它落地时的距离x值。不汁摩擦和空气阻力。
在图2-39所示电阻网络中，电压源的电压Us及电阻R2、R3之值可调。在Us、R2、R3为两组不同数值的情况下，分别进行两次测量，测得数据如下：
(1)当Us=3V，R2=20Ω，R3=5Ω时，I1=1.2A，U2=2V，I3=0.2A。
(2)当
求在第二种情况下的电流
