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绝缘栅双极型功率晶体管(IGBT)有何突出的优点?

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第1题
绝缘栅双极型晶体管的简称是()。

A.PowerMOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

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第2题
“IGBT”这个英文简称指的是()。

A.绝缘栅双极型晶体管

B.可关断晶体管

C.双极型晶体管

D.以上说法均不准确

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第3题
绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。()
绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。()

A.错误

B.正确

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第4题
绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。()
绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。()

T.对

F.错

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第5题
在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:()

A.GTO

B.MOSFET

C.PIC

D.IGBT

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第6题
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.阴极,门极,阳极

B.源极,栅极,漏极

C.发射极,栅极,集电极

D.发射极,基极,集电极

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第7题
场效晶体管和双极型比较有何特点?
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第8题
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.发射极,基极,集电极;

B.发射极,栅极,集电极;

C.源极,栅极,漏极;

D.阴极,门极,阳极。

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第9题
对于双极型晶体管来说,功率MOSFET的速度并不够快。()
对于双极型晶体管来说,功率MOSFET的速度并不够快。()

A.错误

B.正确

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第10题
绝缘栅双级晶体管具有速度快,输入阻抗高,___________低,耐压高,电容量大的特点。

绝缘栅双级晶体管具有速度快,输入阻抗高,___________低,耐压高,电容量大的特点。

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第11题
下列器件中哪些不属于全控型器件。()

A.晶闸管

B.电力晶体管

C.电力场效应晶体管

D.绝缘栅双极晶体管

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