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设集成运放的摆率SR=100V/μs,用它来放大脉冲信号。如果定义输出。脉冲的上升沿为从0V变化到Vm所需
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设集成运放的摆率SR=100V/μs,用它来放大脉冲信号。如果定义输出脉冲的上升沿为从0V变化到Vm所需的时间(Vm是脉冲幅度),请问:当脉冲幅度分别为5V、10V和15V时的脉冲上升沿为多少?如果要求3种幅度下的上升沿都不大于0.1μs,应当选用什么样的运放?
若用摆率为SR=50V/μs的集成运放来放大脉冲信号。如果定义输出脉冲的上升时间为从0V变化到Vm所需的时间(Vm是脉冲幅度),则当脉冲幅度分别为5V、10V、15V时的脉冲上升时间为多少?如果要求3种幅度下的上升时间都不大于0.1μs,应当选用什么样的运放?
在图6-26(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cφ=2pF,试求BWG、SR将它接成图6-26(b)所示的同相跟随器。试求:
用理想集成运放组成的对数变换器如图6-11所示,已知VCC=10V,R6=1MΩ,R1=10kΩ,(R3+R4)/R3=16.8。设各管特性相同,β足够大,试在室温时,
图4-77为某一集成运放的中间增益级交流通路,若忽略共集电路上限频率的影响,试计算该电路的上限频率fH。已知Rs=1kΩ,ICQ1=16μA,ICQ2=550μA,R1=50kΩ,R2=100Ω,RL=83kΩ为有源负载的等效电阻,T1和T2两管的参数均为rbb'=50Ω,β=250,Cb'e=2pF,ωT=109rad/s。设rce忽略不计。
在图6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中
。已知VB=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当vS由1mV变到10V时,在室温下相应vO的变化范围是多少?设各集成运放是理想的,各晶体管特件相同。
集成运放的KCMR越大,集成运放对温漂的抑制作用越好。()
A.错误
B.正确