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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

由于结构上的特点,()在内部漏极和源极之间存在一个反并联的体内二极管。

A.晶闸管

B.PowerMOSFET

C.IGBT

D.电力二极管

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更多“由于结构上的特点,（)在内部漏极和源极之间存在一个反并联的体…”相关的问题

第1题

场效应管三个电极分别为（)。

A.发射极，基极，集电极；

B.第一基极，发射极，第二基极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。

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第2题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为（)。

A.发射极，基极，集电极；

B.发射极，栅极，集电极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。

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第3题

电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()

电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。（)

A.正确

B.错误

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第4题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.错误

B.正确

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第5题

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。（)

A.正确

B.错误

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第6题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。（)

A.错误

B.正确

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第7题

单结晶体管三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.第一基极，发射极，第二基极

C.源极，栅极，漏极

D.发射极，基极，集电极

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第8题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.源极，栅极，漏极

C.发射极，栅极，集电极

D.发射极，基极，集电极

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第9题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.正确

B.错误

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第10题

功率晶体管三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.第一基极，发射极，第二基极

C.源极，栅极，漏极

D.发射极，基极，集电极

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第11题

可关断晶闸管三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.第一基极，发射极，第二基极

C.源极，栅极，漏极

D.发射极，基极，集电极

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