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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

若己知光栅的栅距w=0.02mm，两栅的栅线错开的角度θ=0.1°，则莫尔的间距B≈（)mm。

A.50

B.0.2

C.0.002

D.12

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更多“若己知光栅的栅距w=0.02mm，两栅的栅线错开的角度θ=0…”相关的问题

第1题

下列不属于直线型检测装置的是()。

A.感应同步器

B.光栅

C.磁栅

D.旋转变压器

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第2题

某城市的最大设计污水量Qmax=0.25m³/s，K总=1.5，若栅前水深h=0.5m，过栅流速取v=0.9m/s，栅条间隙e=30mm，格栅安装倾角α=45°，取栅条宽度S=0.01m，栅槽宽度为（)m。

A.0.63

B.0.4

C.1.2

D.0.15

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第3题

吊顶的吊筋是连接()的承重构件。

A.面层与面层

B.搁栅和面层

C.搁栅和屋面板或楼板等

D.主搁栅和次搁栅

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第4题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.错误

B.正确

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第5题

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。（)

A.正确

B.错误

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第6题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。（)

A.错误

B.正确

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第7题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.正确

B.错误

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第8题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.源极，栅极，漏极

C.发射极，栅极，集电极

D.发射极，基极，集电极

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第9题

一般情况下，光栅传感器的光栅的刻线宽度W比莫尔条纹的宽度B大得多。()

一般情况下，光栅传感器的光栅的刻线宽度W比莫尔条纹的宽度B大得多。（)

A、错误

B、正确

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第10题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为（)。

A.发射极，基极，集电极；

B.发射极，栅极，集电极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。

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第11题

己知文法G[S]:S->eT|RT，T->DR|ε，R->dR|ε，D->a|bd。FIRST(S)=()。

己知文法G[S]:S-＞eT|RT，T-＞DR|ε，R-＞dR|ε，D-＞a|bd。FIRST（S)=（)。

己知文法G[S]:S-＞eT|RT，T-＞DR|ε，R-＞dR|ε，D-＞a|bd。FIRST(S)=()。

A.{d，ε}

B.{a，b，d，e，ε}

C.{a，b}

D.{a，b，#}

E.{a，b，ε}

F.{#}

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