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[主观题]

场效应管自给偏压电路适合于增强型场效应管组成的放大电路。()

场效应管自给偏压电路适合于增强型场效应管组成的放大电路。()

A.正确

B.错误

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第1题
增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。()
增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。()

A.错误

B.正确

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第2题
P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()
P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

A.正确

B.错误

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第3题
P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()
P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()

A.错误

B.正确

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第4题
与双极型晶体管比较,场效应管放大能力弱。()
与双极型晶体管比较,场效应管放大能力弱。()

A.正确

B.错误

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第5题
双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。()
双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。()

A.错误

B.正确

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第6题
下列哪些元器件具有受控源特性?()

A.变压器

B.晶体管

C.场效应管

D.运算放大器

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第7题
场效应管是一种()的器件。

A.电压控制电压

B.电压控制电流

C.电流控制电压

D.电流控制电流

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第8题
()的本质是一个场效应管。A.肖特基二极管B.电力晶体管C.可关断晶闸D.绝缘栅双极晶体管

()的本质是一个场效应管。

A.肖特基二极管

B.电力晶体管

C.可关断晶闸

D.绝缘栅双极晶体管

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第9题
场效应管三个电极分别为()。

A.发射极,基极,集电极;

B.第一基极,发射极,第二基极;

C.源极,栅极,漏极;

D.阴极,门极,阳极。

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第10题
偏压构件的抗弯承载力小偏压时随着轴向力的增加而增加。()
偏压构件的抗弯承载力小偏压时随着轴向力的增加而增加。()

A、错误

B、正确

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第11题
耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()
耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()

A.错误

B.正确

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