题目内容
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[主观题]
对十在布儒斯特角θB附近入射的平行极化波,反射波中Ex的相位与入射波中Ex的相位之间相差多大?对于z<0的半空
对十在布儒斯特角θB附近入射的平行极化波,反射波中Ex的相位与入射波中Ex的相位之间相差多大?对于z<0的半空间的驻波有什么影响?
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对十在布儒斯特角θB附近入射的平行极化波,反射波中Ex的相位与入射波中Ex的相位之间相差多大?对于z<0的半空间的驻波有什么影响?
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
选择填空
选填内容 | 牛顿干涉环 (正入射) | Michelson 干涉圆环 | Fabry-perot 干涉圆环 |
a等厚干涉;b.等倾干涉 | |||
干涉条纹:a.非定域;b.定域在无限远; c.定域于膜表面附近 | |||
中央条纹比边缘条纹的级次:a.高;b.低 | |||
增加空气膜厚度条纹将:a.变细;b.变粗 | |||
条纹中心为:a.暗;b.亮;c.不定 |
同上题,设质子自旋“向上”(指向z轴方向,即入射方向),入射中子自旋指向(θ,φ)方向,求低能s波散射总截面.
将图中两种弹性介质界面上平面简谐纵波的入射、反射、透射波的能流密度大小分别记为ii,ir,it,试证:ii=ir+it。
证明当时,晶体中e光线与波法线间的夹角α有最大值,若入射光是钠荧光,试求出方解石晶体。中α角的最大值。
A.折射系数α=1,反射系数β=0
B.折射系数α=-1,反射系数β=1
C.折射系数α=0,反射系数β=1
D.折射系数α=1,反射系数β=-1