A.
B.
C.
D.0
图2-15中的逻辑电路输入状态为表2-3的状态1,然后变为状态2,再变为状态3。
表2-3 | |||
状态 | A | B | C |
状态1 状态2 状态3 | 1 0 0 | 0 0 0 | 1 1 0 |
已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图3.4.1(b)电路中,VCC=5 V,RC=1 kΩ,三极管β=50,饱和时VCES=0.3 V,VBES=0.7 V。 (1)求Rb=10 kΩ,开关K分别置于0和1处时的VA,VB,VO。 (2)Rb短路,电路能否正常工作?若不能试求出Rb的最小允许值。 (3)为保证电路正常工作,Rb的最大值应为多少?
均匀加宽气体激光工作物质的能级图如下图所示,其中能级0为基态。单位体积基态分子至上能级3的泵浦速率为R3,如果τ3/τ1合适,则可获得能级3→能级1跃迁的增益。然而基态分子也可被激励到能级2(单位体积的泵浦速率为R2),如有与λ21相应的谐振腔,能级2→能级1跃迁可形成激光,它将使能级1的分子数密度增加,并使波长λ31的增益下降。假设系统处于稳态,各能级的统计权重均为1,能级2→能级1的自发辐射可忽略不计,1/τ3=1/τ30+1/τ31。
均匀加宽气体激光工作物质的能级图如图3.12所示
其中能级0为基态。单位体积基态分子至上能级3的泵浦速率为R3,如果τ3/τ1合适,则可获得能级3→能级1跃迁的增益。然而基态分子也可被激励到能级2(单位体积的泵浦速率为R2),如有与λ21相应的谐振腔,能级2→能级1跃迁可形成激光,它将使能级1的分子数密度增加,并使波长λ31的增益下降。假设系统处于稳态,各能级的统计权重均为1,能级2→能级1的自发辐射可忽略不计,1/τ3=1/τ30十1/τ31。 (1)假设R2=0,能级2→能级1的跃迁未形成激光,写出能级3→能级1跃迁的小信号中心频率增益系数g0(λ31)的表示式; (2)假设R2≠0,能级2→能级1跃迁被激光强烈饱和,并忽略能级2→能级1的自发辐射,写出小信号中心频率增益系数g0(λ31)的表示式。
图所示稳态电路中,is(t)=2sin(104t+30°)mA,Is4=2A,Us5=57V,R4=6Ω,R5=3Ω,α=3,L=0.1mH,非线性电容的库伏特性为q=13.5×10-4。试求非线性电容上的电压uc及其电流ic。