题目内容
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[主观题]
在沿着单品硅[100]晶向的33kOe外场中,根据第6章给出的单晶硅的有效质量(⊥H),低温舒布尼科夫-德哈斯振荡对应
在沿着单品硅[100]晶向的33kOe外场中,根据第6章给出的单晶硅的有效质量(⊥H),低温舒布尼科夫-德哈斯振荡对应的费密能量周期是多大?实验中门电压改变与费密面改变的比例约为100V:23meV,相应的MOS器件的门电压的振荡周期是多少?
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