题目内容
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A.光电效应
B.电子对效应
C.康普顿效应
D.γ跃迁
答案
A
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更多“入射光子照射物质时，作用于原子的内壳层电子（束缚电子)，把全…”相关的问题
A:入射电子束可以被聚焦
B:入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波
C:入射能量为10~200KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析
D:入射能量为10~500eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
设一入射光子通量为Fph的单色光照射在“p+在n上”的p+n光电池的表面，表面反射和表面复合不予考虑。设吸收系数为α，背面接触处的表面复合速度为S，设在p+层内的吸收忽略不计。推导n侧内光产生少数载流了密度和电流的表示式(如图所示)。
A.入射电子束可以被聚焦
B.入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波
C.入射能量为10~200KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析
D.入射能量为10~500eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
用光子流强为Po、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知Eg＞hν＞qφe(φB为接触电势差)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中的光吸收系数为α，金属膜的厚度为l，则离光照的金属表面x处的光生电子逸入半导体的几率为e-b(l-x)。金属中光生电子的量子产额为β。试证：
证明总自旋不为零的离子中，未填满壳层贡献的顺磁化率χp和内壳层贡献的抗磁化率χd之比为
其中Z是满壳层中的总电子数，J是原子自旋量子数。
①给出在r～r+dr球壳内发现扩散物质的几率；
②给出t时刻扩散原子所走的方均距离
③导出
波长λ=0.2nm的光子受到石墨中的电子的散射，在与入射方向成90°的方向上观察。求：(1)散射线的偏移△λ；(2)反冲电子的动能。假设散射前电子可看作静止不动。
原子中束缚电子的能量Ebi和入射电子束中的电子能量Ein。如果Ein______Ebi，入射电子的能量不能使i能级上的电子激发，______产额为零。
