电路如图(a)所示,设VT1、VT2、VT3的rds均为无穷大,跨导分别为gm1、gm2、gm3;背栅跨导分别为gmb1、gmb2、gmb3。试计
电路如图(a)所示,设VT1、VT2、VT3的rds均为无穷大,跨导分别为gm1、gm2、gm3;背栅跨导分别为gmb1、gmb2、gmb3。试计算、Ri。
电路如图(a)所示,设VT1、VT2、VT3的rds均为无穷大,跨导分别为gm1、gm2、gm3;背栅跨导分别为gmb1、gmb2、gmb3。试计算、Ri。
图题7.28所示电路中,VT2、VT3为VT1提供恒定偏置电流。VT1集-基结电容为Ccb,与集一基结电容上ucb(t)的关系为:Ccb=kcucb(t)-0.5。(1)试求输出电压uo(t)的瞬时角频率表达式;(2)若C1=5pF,C2=100pF,L=1uH,VCC=10V,kc=1.75pF/V,uΩ(t)=cos(103t) (V),试写出uo(t)的表达式。
电路如图11.3.7所示,非线性电阻元件特性的表达式为,i、u的单位分别为A、V,并设uS=25V,ΔuS=0.15sin(ωt+30°)V,R=2Ω。试用小信号分析法求电流i。
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
微电流源电路同题6-8图所示。设UCC= 12V,R=38kΩ,UBE=0.6V,要使VT2管的IC2=10μA,电阻Re的值应为多大?
(华南理工大学2010年考研试题)如图3一49所示电路,电流I=_________A;电压V=__________V。
差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3.4.8所示,晶体管VT1~VT4性能相同,其中一1<x<1,计算电流增益
如图12.5.5所示电路中,已知uS(t)=10+120cos(103t+45°)V。求电流表的读数和电路消耗的平均功率。
如图12.1.14所示电路,原已处于稳压。在t=0时开关S闭合,则t≥0时,有uC(t)=______V。
(华南理工大学2009年考研试题)在如图14-52所示电路中,us=ε(t)V,则电容电压uc(t)=_________。
已知下图(a)所示框图中,vc(t)=cosωct,vΩ(t)=VΩcosΩt,且ωcΩ,设滤波器的幅频特性分别如图(b)、(c)、(d)所示。若不考虑信号通过滤波器的时延并设检波器的检波系数kd≈1。试: