电路如下图所示。已知晶体管VT1~VT3特性相同,集电极电流,电阻比RF/R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo。
电路如下图所示。已知晶体管VT1~VT3特性相同,集电极电流,电阻比RF/R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo。
电路如下图所示。已知晶体管VT1~VT3特性相同,集电极电流,电阻比RF/R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo。
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
图题7.28所示电路中,VT2、VT3为VT1提供恒定偏置电流。VT1集-基结电容为Ccb,与集一基结电容上ucb(t)的关系为:Ccb=kcucb(t)-0.5。(1)试求输出电压uo(t)的瞬时角频率表达式;(2)若C1=5pF,C2=100pF,L=1uH,VCC=10V,kc=1.75pF/V,uΩ(t)=cos(103t) (V),试写出uo(t)的表达式。
设CPLD中某宏单元编程后电路如下图所示,图中画出了S1~S8和M1、M3编程后的连接。数据分配器S1~S8未被选中的输出为0。已知各乘积项如下图中所示。
在下图所示的晶体管中,已知ICQ=1.3mA,晶体管的β=50,Cπ=7pF,Cμ=3pF。试确定管子的共发射极截止频率fβ和特征频率fT。
差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3.4.8所示,晶体管VT1~VT4性能相同,其中一1<x<1,计算电流增益
电路如图(a)所示,已知晶体管参数为hfe=40,rbb'=300Ω,试计算:
(1)ICQ、UCEQ;
(2)、Ri、Ro。