用绿光照射光电管,能产生光电效应,欲使光电子从阴极逸出时的初动能增大,应 ( )
A.改用红光照射
B.增大绿光的强度
C.增大光电管上的加速电压
D.改用紫光照射
A.改用红光照射
B.增大绿光的强度
C.增大光电管上的加速电压
D.改用紫光照射
A.所有光线都被反射,材质看上去为白色
B. 只有红光被反射,即材质看上去为红色
C. 反射的光为红光和蓝光的混合色
D. 所有的光都不被反射,材质看上去为黑色
A.X射线荧光光谱法;
B.X射线衍射法;
C.电子能谱法;
D.荧光光度法。
用光子流强为Po、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知Eg>hν>qφe(φB为接触电势差),则在金属层内产生的光生电子,有部分向半导体内发射。如金属中的光吸收系数为α,金属膜的厚度为l,则离光照的金属表面x处的光生电子逸入半导体的几率为e-b(l-x)。金属中光生电子的量子产额为β。试证:
有一裁纸小刀片欲使其从刀夹‘中直接伸出后,能保持(定位)在伸出位置;使用完后能使其缩回到刀夹中去。试确定伸出和退回的方法和相应的定位方法(用简图表示出来)。
A.OSC收无光,无法正确启动APS
B.保护使能没有打开
C.OPA输入光功率过弱,导致OPA产生APR钳位操作
D.OPCS光开关故障,无法执行保护倒换
在光导电体两端加一定电压的情况下,光照射时,假如单位时间内整个光导电体中产生F个电子(空穴忽略),试证明光电流△I(光照射时,电流增加部分称为光电流)可由下式得出
△I=e·G·F
其中
为增益系数,τn为电子的寿命,t为所产生的电子飞越电极间所需要的时间。
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品,其厚度d>>Lp,在样品上表面用波长λ=0.75μm,其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射,除反射之外,其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收,产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1,表面对这种光的反射系数R=40%,光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s,电子迁移率μn=2800cm2/(V·s),空穴迁移率μp=700cm2/(V·s),普朗克常数h=6.6×10-34J·s,光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求:室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。