题目内容
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[主观题]
制造半导体元件的纯净锗必须掺入少量杂质原子,设均匀掺杂的比例为10-9,若将锗的结构看作为立方点
阵,晶格常量设为0.5nm,试估计杂质原子之间的距离.
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制造半导体元件的纯净锗必须仅含有10-9杂质原子,若将锗的结构看作为立方点阵,晶格常量设为0.5nm,试估计杂质原子之间的距离.
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体()。
A、正确
B、错误
A.在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体
B.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电
C.PN结在无光照、无外加电压时结电流为零
D.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的