题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过低,容易产生()。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.线性失真
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A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.线性失真
A.正确
B.错误
PNP和NPN是一种对称结构。因此将发射极与集电极对调使用,BJT仍然能正常放大信号()。
A、正确
B、错误
A.PNP型Ge管
B.PNP型Si管
C.NPN型Ge管
D.NPN型Si管
E.以上说法都不对
A.错误
B.正确
A.半导体器件的非线性所致,其输出波形中含有新的频率成分
B.截止失真、饱和失真、过流失真
C.截止失真、饱和失真、过流失真、交越失真
D.截止失真、饱和失真、交越失真
对某电路中一个NPN型硅管测试,测得UBE>0,UBC>0,UCE>0,则此管工作在()。
A.饱和区
B.放大区
C.截止区