试画出图6-17所示电路vO随v1变化的传输特性。设各集成运放及二极管是理想的。
试画出图6-17所示电路vO随v1变化的传输特性。设各集成运放及二极管是理想的。
试画出图6-17所示电路vO随v1变化的传输特性。设各集成运放及二极管是理想的。
在图10.3.7所示TTL与非门构成的单稳态触发器中,若输入v1为宽度20μs的脉冲,试画出vO1、vI2、vO3、vO的波形,计算输出脉冲宽度。为使该电路能正常工作,对输入脉冲有何要求。
图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。
E/DMOS电路如图4-47(a)所示,两管输出特性如图4-47(b)、(c)所示,试用图解法定性画出vo随vi变化的传输特性,并指出两管工作在饱和区时vi限定的变化范围。
图a中的方块表示电路元件,设流经该段电路的电荷量q(t)随t的改变如图b所示,试画出电流i的波形,并指出在t=0s与t=3s两个时刻电流i的实际流向。
已知某传感器特性方程为v1=5e2x,x为传感器的输入,v1为传感器的输出。如果对此传感器进行非线性补偿,实现vo=2x的补偿效果,试分别求开环和闭环两种补偿方式下补偿函数的表示式,并画出相应的补偿电路原理框图。
试画出图6-15所示整流电流中vO1、vO的波形。已知R1=R2=R3=R4=R5=10kΩ,R6=5kΩ,vi=Vimsinωt。设各集成运放及二极管是理想的。
反相(反极性)型开关稳压电路的主回路如图题10.3.3所示,已知V1=12V,VO=-15V,控制电压vG为矩形波,电路中L、C为储能元件,D为续流二极管。(1)试分析电路的工作原理;(2)已知VI的大小和vG的波形,画出在vG作用,以及整个开关周期iL连续情况下,vD、vDS、vL、iL和vO的波形,并说明vO和vI极性相反。
窗口比较器如图6-38所示,已知VREF1=2V,窗口宽度△V=2V,试确定VREF2。当比较器最大输出电压为±10V时,试画出电路的比较特性(vO~vi)。
可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。
(1)试写出电路电压增
的表达式; (2)当v1=+5 mV,Q3Q2Q1Q0=1001时,计算vO的值; (3)求出电压增益的最大值。
TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CTll32组成的电路。 (1)说明电路具有什么功能。 (2)定性画出VA,VO的波形。 (3)若R=10 kΩ,C=0.01μF,计算工作周期。
设DAC满度输出电压为14V,试对应输入时钟脉冲画出输出电压vO的波形(设模8计数器由D触发器构成),电路框图如图10.2.2所示。