在下图(a)所示的硅二极管电路中,已知vi=10sinωt(mV),电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达
在下图(a)所示的硅二极管电路中,已知vi=10sinωt(mV),电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达式。
在下图(a)所示的硅二极管电路中,已知vi=10sinωt(mV),电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达式。
半波整流和全波整流电路如下图所示。已知变压器次级输出电压为v1=21sinωt(V),v2=-2v3=21sinωt(V),二极管的正向压降和变压器次级线圈内阻可以忽略。
电路如下图所示,电路上、下完全对称,已知:u2=0.2cos(Ωt)·cos(ωct)V,u1=2cos(ωct)V,ωc为高频,Ω为低频,二极管检波效率ηd≈1。试写出uO1、uO2、uO的表达式,说明电路具有什么功能?
在图1.4.5(a)所示的硅二极管电路中,已知vi=10sinωt(mV),电容C对交流呈现的容抗可以忽略不计。写出va的电压表达式。
在下图所示放大电路中,已知UDD=12V,RG=1MΩ,RS1=100Ω,RS2=2kΩ,各电容足够大,场效应三极管的饱和电流IDSS=5mA,夹断电压Up=-5V,gm=1.85mA/V,试求:
在下图所示的理想运放电路中,已知vi=2sin200πt(V),运放动态范围为±10V,稳压管正向压降可忽略,试分别画出vo1和vo随时间t变化的波形示意图。
用图解法求图11.3.4所示电路中通过二极管的电流。已知uS=1V,R=1Ω;二极管的伏安特性可表示为i=10-6(e40u-1),i、u的单位分别为A、V。
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。
二极管电路如下图(a)、(b)所示,已知ηd≈1,图(a)输入信号ui=Uim[1+macos(Ωt)]cos(ωct),图(b)输入信号u1=U1mcos(Ωt)cos(ωct)、u2=U2mcos(ωct),U1m<U2m,试写出各电路输出电压的表达式,说明作用及名称。
二极管型号 | A | B | C | D |
最大整流电流IF/mA | 5 | 30 | 100 | 500 |
最高反向工作电压VRM/V | 25 | 50 | 50 | 500 |
理想运放组成如下图所示的电压测量电路。已知输入电压vi=Vimsin6.28×103t(V),若测得输出电压vo=4V,求输入电压振幅Vim为多少伏?