题目内容
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[主观题]
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号VI=100mV时,要求输出
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号VI=100mV时,要求输出电压Vo=60mV,问此时应给FET加多大的栅极电压VG?
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