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电路如图(a)所示，设VT1、VT2、VT3的rds均为无穷大，跨导分别为gm1、gm2、gm3；背栅跨导分别为gmb1、gmb2、gmb3。试计算
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图题7.28所示电路中，VT2、VT3为VT1提供恒定偏置电流。VT1集-基结电容为Ccb，与集一基结电容上ucb(t)的关系为：Ccb=kcucb(t)-0.5。(1)试求输出电压uo(t)的瞬时角频率表达式；(2)若C1=5pF，C2=100pF,L=1uH，VCC=10V，kc=1.75pF/V，uΩ(t)=cos(103t) (V)，试写出uo(t)的表达式。
电路如图11.3.7所示，非线性电阻元件特性的表达式为
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
微电流源电路同题6-8图所示。设UCC= 12V，R=38kΩ，UBE=0.6V，要使VT2管的IC2=10μA，电阻Re的值应为多大？
(华南理工大学2010年考研试题)如图3一49所示电路，电流I=_________A；电压V=__________V。
差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3．4．8所示，晶体管VT1～VT4性能相同，其中一1＜x＜1，计算电流增益
如图12.5.5所示电路中，已知uS(t)=10+120
如图12.1.14所示电路，原已处于稳压。在t=0时开关S闭合，则t≥0时，有uC(t)=______V。
(华南理工大学2009年考研试题)在如图14-52所示电路中，us=ε(t)V，则电容电压uc(t)=_________。
已知下图(a)所示框图中，vc(t)=cosωct，vΩ(t)=VΩcosΩt，且ωc
