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更多“主教材表6.9中给出了硅中掺杂Ⅲ，V族杂质以后的杂质电离能，…”相关的问题
主教材图8.6(b)中画出了计算的晶体硅中电子极化的第一个共振频率贡献的介电常数和折射率。若第二个共振峰出现的频率比第一个共振峰高4/3倍，根据洛伦兹光学模型计算并画出第二个共振峰贡献的介电常数、折射率的实部和虚部，并与主教材图8.6(a)中的实验结果比较。
A.埋栅电报处实行重掺杂有利于形成欧姆接触，提高电池的开路电压
B. 栅指电极埋入电池表面无遮光，提高短路电流密度
C. 埋栅电极深入到硅衬底内部增加了基区光生电子复合
D. 淡磷扩散减少“死层”的形成，增加对长波的响应
根据主教材表6.1中的热导率数据、主教材表6.6中德拜温度数据以及主教材式(6.13)，计算Si，Ge，GaAs中的声子平均自由程l。
根据主教材表2.5中给出的氨分子的电偶极矩，以及主教材式(8.39)，估算以氨分子为工作物质的微波激射器中的爱因斯坦系数B的数量级。
根据主教材表7.3中抗磁磁化率数据，估计碱金属的轨道平均半径
a．如果汤姆和杰瑞都不违背协议，汤姆的利润是多少？杰瑞的利润呢？联合利润呢？ b．假设汤姆决定违背协议生产4单位，杰瑞遵守协议。如果生产7单位，价格是多少？汤姆的利润是多少？杰瑞的利润呢？联合利润呢？ c．为什么汤姆会考虑违背他与杰瑞的协议？
一个四边形的场地，各点坐标列于表中，请按主教材中的式(8.11)计算四边形的面积。
| 坐标 | 1 | 2 | 3 | 4 |
| X Y | 368.296 524.278 | 405.378 605.639 | 341.914 631.208 | 313.360 554.952 |
