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[主观题]

如图所示为利用MC1496相乘器芯片构成的正交鉴频电路,用于某二次变频结构的窄带调频接收机中。已知接收信号的

载频为49.445MHz,频偏为3kHz,调制信号频率为1kHz,接收机第一中频频率为10.7MHz,第二中频频率为455kHz。设延时网络的C1=10pF,C=180pF。为使解调输出不失真,试求:

如图所示为利用MC1496相乘器芯片构成的正交鉴频电路,用于某二次变频结构的窄带调频接收机中。已知接

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第1题
利用非线性器件相乘作用来实现频率变换时,其有用项为()。

A.一次方项

B.二次方项

C.高次方项

D.全部项

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第2题
下列由相乘器、相加器和滤波器组成的信号框图哪个会产生DSB信号?()

A.

B.

C.

D.

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第3题
下列由相乘器、相加器和滤镜器组成的信号框图哪个会产生DSB信号?()

A.

B.

C.

D.

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第4题
理想二极管构成的电路如图所示,则输出电压Uo为()。

A.-10V

B.-4V

C.+6V

D.+10V

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第5题
利用非线性器件的相乘作用实现频谱搬移。()
利用非线性器件的相乘作用实现频谱搬移。()

T.对

F.错

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第6题
某计数型ADC的原理图如图所示,其中C为电压比较器,当vI>v'o时,vC=1,否则vC=0,试分析其工作原理。

某计数型ADC的原理图如图所示,其中C为电压比较器,当vI>v'o时,vC=1,否则vC=0,试分析其工作原理。

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第7题
利用ROM实现如图所示的状态图。X为输入信号,Z为输出信号。试说明所设计的状态编码。画出实现电路图,说明所用RO
M的数据位宽m,地址位宽p,存储单元数目。写出各存储单元的地址和存储数据的表格。

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第8题
用64K×1位的DRAM芯片构成1M×8位的存储器,若采用异步刷新,若每行刷新间隔不超过2ms,则产生刷新信号的间隔是多少时间?若采用集中刷新方式,则存储器刷新一遍最少用多少个读写周期?CPU的死时间为多少?(假定存储器的读写时间为0.5μs)

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第9题
作为一维铁磁体的简化模型,考虑自旋为的许多粒子排列在一直线上,每个粒子各处一定的位置,如图所示.假设每个

作为一维铁磁体的简化模型,考虑自旋为的许多粒子排列在一直线上,每个粒子各处一定的位置,如图所示.假设每个粒子只与左右近邻发生自旋一自旋相互作用,体系的总能量算符为(取h=1)

,γ>0

试证明(a)总自旋

为守恒量;(b)在体系的基态下,相邻粒子之间必然构成自旋三重态(自旋指向互相“平行”).讨论基态能级的简并度.

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第10题
试用定时芯片555和单稳态芯片'121构成:
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第11题
高速缓存通常用SRAM芯片构成。()
高速缓存通常用SRAM芯片构成。()

A.错误

B.正确

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