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[单选题]

场效应管漏极电流由的漂移运动形成()。

A.少子

B.电子

C.多子

D.两种载流子

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第1题
电晶体管集—基极反向截止电流ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流,受温度的影响大。()
电晶体管集—基极反向截止电流ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流,受温度的影响大。()

A.正确

B.错误

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第2题
处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()
处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()

A.正确

B.错误

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第3题
场效应管三个电极分别为()。

A.发射极,基极,集电极;

B.第一基极,发射极,第二基极;

C.源极,栅极,漏极;

D.阴极,门极,阳极。

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第4题
双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。()
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A.错误

B.正确

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第5题
电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()
电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()

A.正确

B.错误

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第6题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()

A.正确

B.错误

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第7题
与双极型晶体管比较,场效应管放大能力弱。()
与双极型晶体管比较,场效应管放大能力弱。()

A.正确

B.错误

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第8题
场效应管是一种()的器件。

A.电压控制电压

B.电压控制电流

C.电流控制电压

D.电流控制电流

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第9题
当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。
当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。

A.大于

B.小于

C.等于

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第10题
PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无法确定

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第11题
直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是:()变化。A.温度B.湿度C.电压D.电流

直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是:()变化。

A.温度

B.湿度

C.电压

D.电流

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